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2020/06/01
国内领先的信号链芯片及其解决方案提供商SA视讯电子股份有限公司（以下简称“纳芯微”）宣布推出国内首款高压隔离半桥驱动芯片NSi6602，该芯片集高隔离耐压、高可靠性、高集成度、低延时、灵活封装配置等特性于一体，可应用在5G基站、数据中心、充电桩等新基建重点发展领域。
作为一款隔离式双通道栅极驱动器，NSi6602具有优异的抗干扰能力，其抗共模瞬态干扰度（CMTI）可达150kV/us，可有效保证系统在各种恶劣环境下正常运行。NSi6602的典型传输延时值为19ns，高边、低边栅极驱动器之间最大传输延迟匹配5ns，最大脉宽失真6ns，有助于减小功率管的死区时间，进而提高系统效率。通过更小的封装尺寸、更强大的功能设计，NSi6602打破了传统非隔离式栅极驱动器普遍存在的工作电压上限低、传播延迟长、灵活性差等局限性，从而带来更高的功率密度，帮助系统更快速、更稳健地运行。
NSi6602性能特点：
隔离式双通道栅极驱动器
5kV RMS隔离耐压
输入侧供电电压：2.7V至5.5V
驱动端供电电压：最高可达25V
4A驱动电流和6A吸收电流
最高150KV/us抗共模瞬态干扰度
19ns典型传播延迟
5ns最大传输延迟匹配
6ns最大脉冲宽度失真
可编程死区时间
AEC-Q100认证
过流、过温保护机制
工作温度范围：-40℃~125℃
顺应拓展5G应用、建设充电桩、推广新能源汽车等新基建浪潮，NSi6602可应用于5G 通信电源中PSU、二次电源、电源砖等领域，同时在数据中心、充电桩及车载电源等能源密集型场景中也有着广泛的应用前景，为新基建的多种应用提供强大的安全保障。
图：NSi6602功能框图
NSi6602提供丰富的封装组合，包括LGA13、SOW14、SOW16、SOP16等，均通过UL1577及VDE安规认证，可应用于各类中大功率开关电源系统，给予客户更多个性化选择。其中，SOW16及SOW14两种封装形式已通过AEC-Q100认证，将有助于新能源汽车车载电源的国产化进程加速。
样品申请与产品咨询
请发邮件至sales@wuqinzi.com 索取更多关于NSi6602高压隔离半桥驱动芯片的详细信息。
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